IPW65R080CFD

MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247
IPW65R080CFD P1
IPW65R080CFD P1
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Infineon Technologies ~ IPW65R080CFD

Numero di parte
IPW65R080CFD
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- IPW65R080CFD PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte IPW65R080CFD
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 700V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 43.3A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.76mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5030pF @ 100V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 391W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 17.6A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO247-3
Pacchetto / caso TO-247-3

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