IPS70R1K4P7SAKMA1

MOSFET N-CH 700V 8.2A IPAK
IPS70R1K4P7SAKMA1 P1
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Infineon Technologies ~ IPS70R1K4P7SAKMA1

Numero di parte
IPS70R1K4P7SAKMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET N-CH 700V 8.2A IPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte IPS70R1K4P7SAKMA1
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 700V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 40µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.7nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 158pF @ 400V
Vgs (massimo) ±16V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 22.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 700mA, 10V
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO251
Pacchetto / caso TO-251-3 Stub Leads, IPak

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