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| Numero di parte | IPS70R1K4P7SAKMA1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 40µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.7nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 158pF @ 400V |
| Vgs (massimo) | ±16V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 22.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 700mA, 10V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO251 |
| Pacchetto / caso | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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IPS70R1K4CEAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 700V 5.4A TO251 | 1425 | Dettagli | |
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IPS70R1K4P7SAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V 8.2A IPAK | 0 | Dettagli | |
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IPS70R2K0CEAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 700V 4A TO251 | 402 | Dettagli | |
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IPS70R2K0CEE8211 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH | - | 6983 | Dettagli |
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IPS70R360P7SAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V 34A IPAK | 1907 | Dettagli | |
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IPS70R600CEAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V 10.5A TO-251 | 55 | Dettagli | |
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IPS70R600CEAKMA2 | Infineon Technologies | CONSUMER | 0 | Dettagli | |
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IPS70R600P7SAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V 20.5A IPAK | 1910 | Dettagli | |
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IPS70R900P7SAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V 12.8A IPAK | 1931 | Dettagli | |
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IPS70R950CEAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 700V 7.4A TO251 | 1274 | Dettagli |