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| Numero di parte | IPP65R074C6XKSA1 |
|---|---|
| Stato parte | Not For New Designs |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 57.7A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.4mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3020pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 480.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 74 mOhm @ 13.9A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO-220-3 |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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IPP65R045C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 46A TO-220-3 | - | 729 | Dettagli |
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IPP65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-220-3 | 0 | Dettagli | |
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IPP65R074C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 57.7A TO220 | - | 181 | Dettagli |
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IPP65R095C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-220-3 | 0 | Dettagli | |
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IPP65R099C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 38A TO220 | - | 243 | Dettagli |
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IPP65R110CFDAAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-220-3 | 0 | Dettagli | |
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IPP65R110CFDXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V 31.2A TO220 | - | 9 | Dettagli |
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IPP65R110CFDXKSA2 | Infineon Technologies | HIGH POWERLEGACY | - | 6011 | Dettagli |
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IPP65R125C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 18A TO220 | 514 | Dettagli | |
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IPP65R150CFDAAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-220-3 | 0 | Dettagli | |
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IPP65R150CFDXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220 | 2455 | Dettagli | |
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IPP65R150CFDXKSA2 | Infineon Technologies | HIGH POWERLEGACY | - | 6011 | Dettagli |