IPN70R2K1CEATMA1

MOSFET COOLMOS 700V SOT223-3
IPN70R2K1CEATMA1 P1
IPN70R2K1CEATMA1 P1
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Infineon Technologies ~ IPN70R2K1CEATMA1

Numero di parte
IPN70R2K1CEATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET COOLMOS 700V SOT223-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- IPN70R2K1CEATMA1 PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte IPN70R2K1CEATMA1
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 750V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 70µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 163pF @ 100V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1 Ohm @ 1A, 10V
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-SOT223
Pacchetto / caso TO-261-4, TO-261AA

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