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| Numero di parte | IPI90R340C3XKSA1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 94nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 208W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 340 mOhm @ 9.2A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3 |
| Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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IPI90R1K0C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-262 | - | 0 | Dettagli |
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IPI90R1K2C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-262 | - | 0 | Dettagli |
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IPI90R340C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 15A TO-262 | - | 0 | Dettagli |
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IPI90R500C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 11A TO-262 | - | 0 | Dettagli |
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IPI90R800C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 6.9A TO262-3 | - | 6970 | Dettagli |
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IPI90R800C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-262 | - | 0 | Dettagli |