IPD50R650CE

MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
IPD50R650CE P1
IPD50R650CE P1
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Infineon Technologies ~ IPD50R650CE

Numero di parte
IPD50R650CE
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte IPD50R650CE
Stato parte Discontinued at Digi-Key
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6.1A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 13V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 342pF @ 100V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650 mOhm @ 1.8A, 13V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO252-3
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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