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| Numero di parte | IPD50R380CEBTMA1 |
|---|---|
| Stato parte | Discontinued at Digi-Key |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9.9A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 3.2A, 13V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 260µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24.8nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 584pF @ 100V |
| Caratteristica FET | Super Junction |
| Dissipazione di potenza (max) | 73W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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IPD50R1K4CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252 | 0 | Dettagli | |
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IPD50R1K4CEBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252 | - | 0 | Dettagli |
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IPD50R280CE | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252 | 0 | Dettagli | |
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IPD50R280CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252 | 0 | Dettagli | |
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IPD50R280CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 18.1A TO252 | 0 | Dettagli | |
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IPD50R280CEBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252 | - | 12100 | Dettagli |
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IPD50R2K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 2.4A PG-TO252 | 0 | Dettagli | |
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IPD50R2K0CEBTMA1 | Infineon Technologies | CONSUMER | 0 | Dettagli | |
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IPD50R380CE | Infineon Technologies | MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252 | 0 | Dettagli | |
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IPD50R380CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252 | 0 | Dettagli | |
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IPD50R380CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 500V 14.1A TO252 | 0 | Dettagli | |
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IPD50R380CEBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252 | - | 6626 | Dettagli |