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| Numero di parte | IPB60R060C7ATMA1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 800µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2850pF @ 400V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 162W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 15.9A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3 |
| Pacchetto / caso | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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IPB60R040C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO263-3 | 0 | Dettagli | |
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IPB60R060C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO263-3 | 0 | Dettagli | |
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IPB60R060P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | - | 17734 | Dettagli |
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IPB60R080P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | - | 22187 | Dettagli |
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IPB60R099C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263 | - | 0 | Dettagli |
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IPB60R099C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263 | - | 19308 | Dettagli |
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IPB60R099C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO263-3 | 0 | Dettagli | |
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IPB60R099CP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK | - | 3000 | Dettagli |
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IPB60R099CPAATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3 | - | 0 | Dettagli |
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IPB60R099CPATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK | - | 15017 | Dettagli |
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IPB60R099P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | - | 25850 | Dettagli |
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IPB60R120C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO263-3 | 0 | Dettagli |