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| Numero di parte | IPB049N08N5ATMA1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 66µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3770pF @ 40V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9 mOhm @ 80A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3 |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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IPB049N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 | 0 | Dettagli | |
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IPB049N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V TO263-3 | 0 | Dettagli | |
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IPB049NE7N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3 | - | 2000 | Dettagli |
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IPB049NE7N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3 | - | 52850 | Dettagli |