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| Numero di parte | IPA60R120C7XKSA1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 390µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 400V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 32W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 7.8A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220 Full Pack |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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IPA60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW | - | 0 | Dettagli |
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