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| Numero di parte | IAUT150N10S5N035ATMA1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 150A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 mOhm @ 75A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 110µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 87nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6110pF @ 50V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 166W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-HSOF-8-1 |
| Pacchetto / caso | 8-PowerSFN |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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IAUT150N10S5N035ATMA1 | Infineon Technologies | 100V 150A 3.5MOHM TOLL | - | 26565 | Dettagli |