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| Numero di parte | FF45MR12W1M1B11BOMA1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 25A (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 25A, 15V (Typ) |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.55V @ 10mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 15V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1840pF @ 800V |
| Potenza - Max | 20mW (Tc) |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | AG-EASY1BM-2 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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FF45MR12W1M1B11BOMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MODULE 1200V 50A | - | 1088 | Dettagli |