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| Numero di parte | DF11MR12W1M1B11BOMA1 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 50A, 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 20mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 125nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3950pF @ 800V |
| Potenza - Max | 20mW |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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DF11MR12W1M1B11BOMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MODULE 1200V 50A | - | 490 | Dettagli |
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DF11MR12W1M1B11BPSA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOD 1200V 50A | - | 490 | Dettagli |