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| Numero di parte | BSZ340N08NS3GATMA1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta), 23A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34 mOhm @ 12A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 12µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.1nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 630pF @ 40V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.1W (Ta), 32W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TSDSON-8 |
| Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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BSZ340N08NS3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 23A TSDSON-8 | 5000 | Dettagli | |
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BSZ340N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 23A TSDSON-8 | - | 272927 | Dettagli |