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| Numero di parte | BSO080P03SNTMA1 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12.6A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 136nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5890pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±25V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.79W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 14.9A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-DSO-8 |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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BSO080P03NS3EGXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO | - | 0 | Dettagli |
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BSO080P03NS3GXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO | - | 0 | Dettagli |
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BSO080P03S H | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO | - | 0 | Dettagli |
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BSO080P03SHXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO | - | 87725 | Dettagli |
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BSO080P03SNTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO | 0 | Dettagli | |
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BSO083N03MSGXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 11A 8DSO | 0 | Dettagli |