BSM75GD60DLCBOSA1

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
BSM75GD60DLCBOSA1 P1
BSM75GD60DLCBOSA1 P1
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Infineon Technologies ~ BSM75GD60DLCBOSA1

Numero di parte
BSM75GD60DLCBOSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- BSM75GD60DLCBOSA1 PDF online browsing
Famiglia
Transistor - IGBT - Moduli
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Numero di parte BSM75GD60DLCBOSA1
Stato parte Not For New Designs
Tipo IGBT -
Configurazione Full Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 95A
Potenza - Max 330W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 75A
Corrente - Limite del collettore (max) 500µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 3.3nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC No
temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso Module
Pacchetto dispositivo fornitore Module

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