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| Numero di parte | BSC0504NSIATMA1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 21A (Ta), 72A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 960pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7 mOhm @ 30A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8 |
| Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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BSC0500NSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 35A TDSON-8 | 0 | Dettagli | |
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BSC0501NSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 29A 8TDSON | 0 | Dettagli | |
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BSC0502NSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 26A TDSON-8 | 0 | Dettagli | |
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BSC0503NSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 22A TDSON-8 | 0 | Dettagli | |
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BSC0504NSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 21A TDSON-8 | 0 | Dettagli | |
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BSC050N03LS G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8 | - | 60000 | Dettagli |
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BSC050N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8 | - | 61066 | Dettagli |
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BSC050N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8 | - | 5000 | Dettagli |
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BSC050N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 85A TDSON-8 | - | 20000 | Dettagli |
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BSC050N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies | TRENCH 100V | - | 50505 | Dettagli |
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BSC050NE2LS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8 | - | 85000 | Dettagli |
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BSC050NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8 | - | 160485 | Dettagli |