UFT10060

DIODE GEN PURP 600V 50A TO249AB
UFT10060 P1
UFT10060 P1
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GeneSiC Semiconductor ~ UFT10060

Numero di parte
UFT10060
fabbricante
GeneSiC Semiconductor
Descrizione
DIODE GEN PURP 600V 50A TO249AB
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Diodi - Raddrizzatori - Array
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Numero di parte UFT10060
Stato parte Active
Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode
Tipo diodo Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 50A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 50A
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) 90ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr 25µA @ 600V
Temperatura operativa - Giunzione -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso TO-249AB
Pacchetto dispositivo fornitore TO-249AB

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