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| Numero di parte | MBR2X120A150 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Configurazione diodi | 2 Independent |
| Tipo diodo | Schottky |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
| Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | 120A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 880mV @ 120A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3mA @ 150V |
| Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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MBR200100CT | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER | 0 | Dettagli | |
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MBR200100CTR | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER | 0 | Dettagli | |
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MBR200100CTS | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 100V 200A SOT227 | 6 | Dettagli | |
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MBR200150CT | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER | 0 | Dettagli | |
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MBR200150CTR | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER | 0 | Dettagli | |
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MBR200200CT | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER | 0 | Dettagli | |
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MBR200200CTR | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER | 0 | Dettagli | |
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MBR20020CT | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 20V 200A 2TOWER | 0 | Dettagli | |
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MBR20020CTR | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 20V 200A 2TOWER | 0 | Dettagli | |
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MBR20030CT | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER | 0 | Dettagli | |
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MBR20030CTR | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER | 0 | Dettagli | |
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MBR20035CT | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER | 0 | Dettagli |