MBR20035CTR

DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER
MBR20035CTR P1
MBR20035CTR P1
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GeneSiC Semiconductor ~ MBR20035CTR

Numero di parte
MBR20035CTR
fabbricante
GeneSiC Semiconductor
Descrizione
DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Diodi - Raddrizzatori - Array
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Numero di parte MBR20035CTR
Stato parte Active
Configurazione diodi 1 Pair Common Anode
Tipo diodo Schottky
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 35V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 200A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 650mV @ 100A
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) -
Corrente - Perdita inversa @ Vr 5mA @ 20V
Temperatura operativa - Giunzione -
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore Twin Tower

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