GA10JT12-263

TRANS SJT 1200V 25A
GA10JT12-263 P1
GA10JT12-263 P1
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GeneSiC Semiconductor ~ GA10JT12-263

Numero di parte
GA10JT12-263
fabbricante
GeneSiC Semiconductor
Descrizione
TRANS SJT 1200V 25A
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte GA10JT12-263
Stato parte Active
Tipo FET -
Tecnologia SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 25A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1403pF @ 800V
Vgs (massimo) -
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 10A
temperatura di esercizio 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore -
Pacchetto / caso -

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