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| Numero di parte | GA05JT12-263 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | - |
| Tecnologia | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (massimo) | - |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 106W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Pacchetto / caso | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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GA05JT01-46 | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 100V 9A | 89 | Dettagli | |
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GA05JT03-46 | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 300V 9A | 64 | Dettagli | |
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GA05JT12-247 | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1200V 5A | 0 | Dettagli | |
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GA05JT12-263 | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1200V 15A | 1156 | Dettagli |