1N3879R

DIODE GEN PURP REV 50V 6A DO4
1N3879R P1
1N3879R P1
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GeneSiC Semiconductor ~ 1N3879R

Numero di parte
1N3879R
fabbricante
GeneSiC Semiconductor
Descrizione
DIODE GEN PURP REV 50V 6A DO4
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Diodi - Raddrizzatori - Singoli
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Numero di parte 1N3879R
Stato parte Active
Tipo diodo Standard, Reverse Polarity
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 50V
Corrente - Rettificato medio (Io) 6A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.4V @ 6A
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) 200ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr 15µA @ 50V
Capacità @ Vr, F -
Tipo di montaggio Chassis, Stud Mount
Pacchetto / caso DO-203AA, DO-4, Stud
Pacchetto dispositivo fornitore DO-4
Temperatura operativa - Giunzione -65°C ~ 150°C

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