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| Numero di parte | RFD12N06RLE |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 485pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±16V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 63 mOhm @ 18A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-251AA |
| Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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RFD10P03LSM | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 10A TO-252AA | - | 17563 | Dettagli |
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RFD12N06RLE | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 18A IPAK | 0 | Dettagli | |
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RFD12N06RLESM9A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 18A DPAK | - | 10000 | Dettagli |
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RFD14N05 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK | 0 | Dettagli | |
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RFD14N05L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK | - | 2068 | Dettagli |
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RFD14N05LSM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA | - | 5571 | Dettagli |
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RFD14N05LSM9A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA | - | 5000 | Dettagli |
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RFD14N05SM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA | 0 | Dettagli | |
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RFD14N05SM9A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 14A DPAK | - | 12500 | Dettagli |
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RFD15P05 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 50V 15A I-PAK | 0 | Dettagli | |
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RFD15P05SM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 50V 15A TO-252AA | 0 | Dettagli | |
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RFD16N05 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 16A I-PAK | 0 | Dettagli |