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| Numero di parte | FQB7P06TM |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 295pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±25V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.75W (Ta), 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 410 mOhm @ 3.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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FQB10N20CTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK | 0 | Dettagli | |
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FQB10N20LTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK | 0 | Dettagli | |
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FQB10N20TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK | - | 0 | Dettagli |
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FQB10N50CFTM-WS | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 10A DPAK | - | 36841 | Dettagli |
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FQB10N50CFTM_WS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 10A DPAK | - | 0 | Dettagli |
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FQB10N60CTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 9.5A D2PAK | 0 | Dettagli | |
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FQB11N40CTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 10.5A D2PAK | - | 800 | Dettagli |
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FQB11N40TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 11.4A D2PAK | 0 | Dettagli | |
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FQB11P06TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK | - | 800 | Dettagli |
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FQB12N50TM_AM002 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 12.1A D2PAK | 0 | Dettagli | |
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FQB12N60CTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK | 0 | Dettagli | |
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FQB12N60TM_AM002 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 10.5A D2PAK | 0 | Dettagli |