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| Numero di parte | FQA65N20 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 65A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 200nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7900pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 310W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32 mOhm @ 32.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3PN |
| Pacchetto / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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FQA10N60C | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 10A TO-3P | 0 | Dettagli | |
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FQA10N80 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 9.8A TO-3P | 0 | Dettagli | |
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FQA10N80C | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P | 0 | Dettagli | |
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FQA10N80C-F109 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P | - | 16383 | Dettagli |
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FQA10N80C_F109 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P | - | 50 | Dettagli |
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FQA10N80_F109 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 9.8A TO-3P | 0 | Dettagli | |
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FQA11N90 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P | 0 | Dettagli | |
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FQA11N90-F109 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P | - | 13278 | Dettagli |
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FQA11N90C | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P | 0 | Dettagli | |
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FQA11N90C-F109 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P | - | 13894 | Dettagli |
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FQA11N90C_F109 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P | - | 58 | Dettagli |
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FQA11N90_F109 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P | - | 0 | Dettagli |