FJV3109RMTF

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
FJV3109RMTF P1
FJV3109RMTF P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FJV3109RMTF

Numero di parte
FJV3109RMTF
fabbricante
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati
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Numero di parte FJV3109RMTF
Stato parte Obsolete
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Resistore - Base (R1) (Ohm) 4.7k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Corrente - Limite del collettore (max) 100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione 250MHz
Potenza - Max 200mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236)

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