EPC2045

GANFET TRANS 100V BUMPED DIE
EPC2045 P1
EPC2045 P1
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EPC ~ EPC2045

Numero di parte
EPC2045
fabbricante
EPC
Descrizione
GANFET TRANS 100V BUMPED DIE
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- EPC2045 PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte EPC2045
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 16A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7 mOhm @ 16A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.5nC @ 5V
Vgs (massimo) +6V, -4V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 685pF @ 50V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) -
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore Die
Pacchetto / caso Die

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