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| Numero di parte | ZXMP4A16GQTC |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | - |
| Tecnologia | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (massimo) | - |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223 |
| Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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ZXMP10A13FQTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3 | - | 0 | Dettagli |
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ZXMP10A13FTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3 | - | 0 | Dettagli |
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ZXMP10A16KTC | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 3A DPAK | - | 10000 | Dettagli |
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ZXMP10A17E6QTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6 | - | 3000 | Dettagli |
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ZXMP10A17E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6 | - | 21000 | Dettagli |
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ZXMP10A17GQTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V SOT223 | - | 1000 | Dettagli |
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ZXMP10A17GQTC | Diodes Incorporated | MOSFET PCH 100V 1.7A SOT223 | - | 0 | Dettagli |
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ZXMP10A17GTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 1.7A SOT223 | - | 0 | Dettagli |
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ZXMP10A17KTC | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 2.4A DPAK | - | 2500 | Dettagli |
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ZXMP10A18GTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223 | - | 27000 | Dettagli |
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ZXMP10A18K | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 3.8A DPAK | - | 0 | Dettagli |
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ZXMP10A18KTC | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 3.8A DPAK | - | 80000 | Dettagli |