ZXMHC3A01T8TA

MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8
ZXMHC3A01T8TA P1
ZXMHC3A01T8TA P1
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Diodes Incorporated ~ ZXMHC3A01T8TA

Numero di parte
ZXMHC3A01T8TA
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- ZXMHC3A01T8TA PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
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Numero di parte ZXMHC3A01T8TA
Stato parte Active
Tipo FET 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.7A, 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.9nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 25V
Potenza - Max 1.3W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SOT-223-8
Pacchetto dispositivo fornitore SM8

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