ZXMD65P02N8TA

MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
ZXMD65P02N8TA P1
ZXMD65P02N8TA P1
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Diodes Incorporated ~ ZXMD65P02N8TA

Numero di parte
ZXMD65P02N8TA
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
ZXMD65P02N8TA.pdf ZXMD65P02N8TA PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
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Numero di parte ZXMD65P02N8TA
Stato parte Obsolete
Tipo FET 2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 960pF @ 15V
Potenza - Max 1.75W
temperatura di esercizio -
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP

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