ZVN4306GVTA

MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223
ZVN4306GVTA P1
ZVN4306GVTA P2
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Diodes Incorporated ~ ZVN4306GVTA

Numero di parte
ZVN4306GVTA
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte ZVN4306GVTA
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.1A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 330 mOhm @ 3A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-223
Pacchetto / caso TO-261-4, TO-261AA

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