DMP2035UVTQ-13

MOSFET BVDSS: 8V 24V TSOT26
DMP2035UVTQ-13 P1
DMP2035UVTQ-13 P1
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Diodes Incorporated ~ DMP2035UVTQ-13

Numero di parte
DMP2035UVTQ-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
MOSFET BVDSS: 8V 24V TSOT26
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte DMP2035UVTQ-13
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23.1nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2400pF @ 10V
Vgs (massimo) ±12V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 4A, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore TSOT-26
Pacchetto / caso SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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