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| Numero di parte | DMN3026LVTQ-7 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.6A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.5nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 643pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 6.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TSOT-26 |
| Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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DMN3005LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L | - | 0 | Dettagli |
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DMN3007LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC | - | 0 | Dettagli |
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DMN3007LSSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8 | 0 | Dettagli | |
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DMN3008SCP10-7 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN3415 | - | 1626000 | Dettagli |
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DMN3008SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI | - | 0 | Dettagli |
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DMN3008SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI | - | 0 | Dettagli |
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DMN3008SFGQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI | - | 0 | Dettagli |
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DMN3008SFGQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI | - | 0 | Dettagli |
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DMN3009LFV-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333 | - | 326153 | Dettagli |
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DMN3009LFV-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333 | - | 326153 | Dettagli |
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DMN3009LFVW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8 | - | 239421 | Dettagli |
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DMN3009LFVW-7 | Diodes Incorporated | MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8 | - | 239421 | Dettagli |