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| Numero di parte | DMN1016UCB6-7 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.5A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.2nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 423pF @ 6V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 920mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | U-WLB1510-6 |
| Pacchetto / caso | 6-UFBGA, WLBGA |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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DMN100-7-F | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3 | - | 6000 | Dettagli |
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DMN1002UCA6-7 | Diodes Incorporated | MOSFETN-CHAN 12V X4-DSN3118-6 | - | 151364 | Dettagli |
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DMN1003UCA6-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6 | - | 147589 | Dettagli |
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DMN1004UFDF-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6 | - | 338403 | Dettagli |
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DMN1004UFDF-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6 | - | 299323 | Dettagli |
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DMN1004UFV-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333 | - | 0 | Dettagli |
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DMN1004UFV-7 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333 | - | 4000 | Dettagli |
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DMN1006UCA6-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6 | - | 186435 | Dettagli |
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DMN1008UFDF-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH30V SC-59 | - | 470396 | Dettagli |
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DMN1008UFDF-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH30V SC-59 | - | 419037 | Dettagli |
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DMN1014UFDF-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 8V-24V U-DFN2020-6 | - | 611912 | Dettagli |
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DMN1014UFDF-7 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 8V-24V U-DFN2020-6 | - | 534709 | Dettagli |