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| Numero di parte | DMG6898LSDQ-13 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 9.4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1149pF @ 10V |
| Potenza - Max | 1.28W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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DMG6898LSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO | - | 0 | Dettagli |
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DMG6898LSDQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO | - | 0 | Dettagli |