DMG1016V-7

MOSFET N/P-CH 20V SOT563
DMG1016V-7 P1
DMG1016V-7 P1
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Diodes Incorporated ~ DMG1016V-7

Numero di parte
DMG1016V-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
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Numero di parte DMG1016V-7
Stato parte Active
Tipo FET N and P-Channel
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 870mA, 640mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.74nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 60.67pF @ 16V
Potenza - Max 530mW
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-563

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