A1N5404G-G

DIODE GEN PURP 400V 3A DO27
A1N5404G-G P1
A1N5404G-G P1
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Comchip Technology ~ A1N5404G-G

Numero di parte
A1N5404G-G
fabbricante
Comchip Technology
Descrizione
DIODE GEN PURP 400V 3A DO27
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Diodi - Raddrizzatori - Singoli
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Numero di parte A1N5404G-G
Stato parte Active
Tipo diodo Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 400V
Corrente - Rettificato medio (Io) 3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 3A
Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) -
Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F 50pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso DO-201AA, DO-27, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore DO-27
Temperatura operativa - Giunzione -55°C ~ 150°C

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