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| Numero di parte | CTLDM8002A-M621H BK |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 280mA (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.72nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | 20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 70pF @ 25V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.6W (Ta) |
| temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TLM621H |
| Pacchetto / caso | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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CTLDM8002A-M621 BK | Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 50V DFN6 | - | 6110 | Dettagli |
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CTLDM8002A-M621 TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 50V DFN6 | - | 6106 | Dettagli |
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CTLDM8002A-M621H BK | Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 50V DFN6 | - | 6106 | Dettagli |
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CTLDM8002A-M621H TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 50V DFN6 | - | 6101 | Dettagli |