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| Numero di parte | CMLDM8120G TR |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 860mA (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.56nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 16V |
| Vgs (massimo) | 8V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 350mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 950mA, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-563 |
| Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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CMLDM3737 TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563 | - | 624000 | Dettagli |
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CMLDM3757 TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET N/P-CH 20V SOT563 | - | 3000 | Dettagli |
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CMLDM5757 TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563 | - | 3000 | Dettagli |
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CMLDM7002AG TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563 | - | 0 | Dettagli |
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CMLDM7002AJ TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563 | - | 15000 | Dettagli |
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CMLDM7003 TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563 | - | 3000 | Dettagli |
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CMLDM7003G TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563 | - | 6000 | Dettagli |
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CMLDM7003T TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563 | - | 3000 | Dettagli |
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CMLDM7003TG TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563 | - | 3000 | Dettagli |
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CMLDM7120G TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 20V 1A SOT563 | - | 24000 | Dettagli |
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CMLDM7484 TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET N/P-CH 30V 0.45A SOT-563 | - | 21000 | Dettagli |
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CMLDM7585 TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET N/P-CH 20V 0.65A SOT563 | - | 3000 | Dettagli |