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| Numero di parte | VN0606L-G-P003 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 330mA (Tj) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 1A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
| Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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VN0606L-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3 | - | 1258 | Dettagli |
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VN0606L-G-P003 | Microchip Technology | MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3 | - | 0 | Dettagli |