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| Numero di parte | TP2640LG-G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 86mA (Tj) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 740mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 Ohm @ 300mA, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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TP2635N3-G | Microchip Technology | MOSFET P-CH 350V 0.18A TO92-3 | - | 902 | Dettagli |
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TP2640LG-G | Microchip Technology | MOSFET P-CH 400V 0.086A 8SOIC | - | 0 | Dettagli |
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TP2640N3-G | Microchip Technology | MOSFET P-CH 400V 0.18A TO92-3 | - | 1129 | Dettagli |