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| Numero di parte | DN2625DK6-G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Depletion Mode |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.1A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 Ohm @ 1A, 0V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.04nC @ 1.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 25V |
| Potenza - Max | - |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-VDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DFN (5x5) |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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DN2625DK6-G | Microchip Technology | MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN | - | 608 | Dettagli |
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DN2625K4-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 250V 1.1A 3DPAK | - | 6000 | Dettagli |