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| Numero di parte | BLP8G27-5Z |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Transistor Type | LDMOS |
| Frequenza | 2.14GHz |
| Guadagno | 18dB |
| Voltaggio - Test | 28V |
| Valutazione attuale | - |
| Figura di rumore | - |
| Corrente - Test | 55mA |
| Potenza - Uscita | 750mW |
| Tensione - Rated | 65V |
| Pacchetto / caso | 16-VDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 16-HVSON (4x6) |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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BLP8G05S-200GY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT12042 | 0 | Dettagli | |
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BLP8G05S-200Y | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT11382 | 100 | Dettagli | |
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BLP8G10S-270PWY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT12212 | 94 | Dettagli | |
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BLP8G10S-45PGJ | NXP USA Inc. | TRANS LDMOS 45W 4HSOP | 0 | Dettagli | |
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BLP8G10S-45PGY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20.8DB 4BESOP | 100 | Dettagli | |
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BLP8G10S-45PJ | NXP USA Inc. | TRANS LDMOS 45W 4HSOPF | 0 | Dettagli | |
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BLP8G10S-45PY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20.8DB SOT12231 | 0 | Dettagli | |
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BLP8G20S-80PY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12231 | 0 | Dettagli | |
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BLP8G21S-160PVY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12211 | 100 | Dettagli | |
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BLP8G27-10Z | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN | 0 | Dettagli | |
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BLP8G27-5Z | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB 16VDFN | 0 | Dettagli |