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| Numero di parte | AOU4N60 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 640pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 Ohm @ 2A, 10V |
| temperatura di esercizio | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-251-3 |
| Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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AOU1N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251 | 0 | Dettagli | |
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AOU2N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 2A TO251 | 0 | Dettagli | |
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AOU2N60A | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH | 0 | Dettagli | |
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AOU2N60_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 2A TO251 | 0 | Dettagli | |
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AOU3N50 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 500V 2.8A IPAK | 2105 | Dettagli | |
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AOU3N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 2.5A IPAK | 168 | Dettagli | |
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AOU3N60_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 2.5A IPAK | 0 | Dettagli | |
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AOU4N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 4A TO251 | 3969 | Dettagli | |
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AOU4S60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 4A TO251 | 0 | Dettagli | |
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AOU7S60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 7A TO251 | 0 | Dettagli | |
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AOU7S65 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 7A TO251 | 0 | Dettagli |