AOB10N60L

MOSFET N-CH 600V 10A TO263
AOB10N60L P1
AOB10N60L P1
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. ~ AOB10N60L

Numero di parte
AOB10N60L
fabbricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 10A TO263
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte AOB10N60L
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 25V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750 mOhm @ 5A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore TO-263 (D²Pak)
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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