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| Numero di parte | ALD110808ASCL |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 4 N-Channel, Matched Pair |
| Caratteristica FET | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 10.6V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12mA, 3mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 Ohm @ 4.8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 810mV @ 1µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2.5pF @ 5V |
| Potenza - Max | 500mW |
| temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 16-SOIC |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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ALD1101APAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP | 0 | Dettagli | |
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ALD1101ASAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC | 10 | Dettagli | |
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ALD1101BPAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP | 0 | Dettagli | |
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ALD1101BSAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC | 0 | Dettagli | |
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ALD1101PAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP | 213 | Dettagli | |
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ALD1101SAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC | 95 | Dettagli | |
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ALD1102APAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP | 51 | Dettagli | |
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ALD1102ASAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC | 151 | Dettagli | |
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ALD1102BPAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP | 0 | Dettagli | |
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ALD1102BSAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC | 0 | Dettagli | |
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ALD1102PAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP | 155 | Dettagli | |
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ALD1102SAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC | 70 | Dettagli |