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| Número de pieza | CSD16411Q3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 25V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 14A (Ta), 56A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 3.8nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 570pF @ 12.5V |
| Vgs (Max) | +16V, -12V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 2.7W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 10A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-VSON (3.3x3.3) |
| Paquete / caja | 8-PowerVDFN |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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CSD128 | Power Integrations | MODULE GATE DVR PP SCALE 1 | - | 17189 | Detalles |
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CSD13202Q2 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 76A 6SON | - | 0 | Detalles |
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CSD13302W | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 1.6A | - | 0 | Detalles |
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CSD13302WT | Texas Instruments | CHANNEL NEXFET POWER MOSFET | - | 10000 | Detalles |
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CSD13303W1015 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA | - | 0 | Detalles |
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