CSD16301Q2

MOSFET N-CH 25V 6-SON
CSD16301Q2 P1
CSD16301Q2 P1
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Texas Instruments ~ CSD16301Q2

Número de pieza
CSD16301Q2
Fabricante
Texas Instruments
Descripción
MOSFET N-CH 25V 6-SON
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza CSD16301Q2
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 5A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 3V, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.55V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 2.8nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 340pF @ 12.5V
Vgs (Max) +10V, -8V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 2.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 4A, 8V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor 6-SON
Paquete / caja 6-SMD, Flat Leads

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