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| Número de pieza | RQ6E050ATTCR |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 20.8nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 940pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 1.25W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 5A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TSMT6 (SC-95) |
| Paquete / caja | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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RQ6E030ATTCR | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 3A TSMT | - | 0 | Detalles |
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RQ6E035ATTCR | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT | - | 0 | Detalles |
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RQ6E045BNTCR | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT | - | 0 | Detalles |
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RQ6E050ATTCR | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 5A TSMT | - | 0 | Detalles |
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RQ6E055BNTCR | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT | 0 | Detalles | |
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RQ6E085BNTCR | Rohm Semiconductor | NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET | - | 0 | Detalles |